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Numero di parte RJK0330DPB-01#J0
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Scheda dati

RJK0330DPB-01#J0 Scheda dati
pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche RJK0330DPB-01#J0

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4300pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 22.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica RJK0330DPB-01#J0

RJK0330DPB-01#J0 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK0330DPB-01#J0 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RJK0330DPB-01#J0. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RJK0330DPB-01#J0 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RJK0330DPB-01#J0 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RJK0330DPB-01#J0 price and inventory displayed accurate?
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