Name: RJK0856DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK0856DPB-00-J5
Availability: InStock
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RJK0856DPB-00#J5

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Numero di parte	RJK0856DPB-00#J5
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Scheda dati	RJK0856DPB-00#J5 Scheda dati
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche RJK0856DPB-00#J5

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 17.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669

Scheda tecnica RJK0856DPB-00#J5

RJK0856DPB-00#J5 Packaging

RJK0856DPB-00#J5 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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D# RJK0856DPB-00#J5

Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 80V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: RJK0856DPB-00#J5)

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

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D# RJK0856DPB-00#J5TR-ND

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MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK

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