Name: RJK2006DPE-00#J3
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2006DPE-00-J3
Availability: InStock
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RJK2006DPE-00#J3

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Numero di parte	RJK2006DPE-00#J3
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Scheda dati	RJK2006DPE-00#J3 Scheda dati
pacchetto	SC-83
ECAD
A magazzino	5.936 piece(s)
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Specifiche RJK2006DPE-00#J3

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-83
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	4-LDPAK
Pacchetto / caso	SC-83

Scheda tecnica RJK2006DPE-00#J3

RJK2006DPE-00#J3 Packaging

RJK2006DPE-00#J3 FAQ

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3. Are the RJK2006DPE-00#J3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as RJK2006DPE-00#J3 pin diagram, RJK2006DPE-00#J3 datasheet?

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D# RJK2006DPE-00#J3-ND

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D# NS-RJK2006DPE-00#J3

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