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RJK2057DPA-00#J0

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Numero di parte RJK2057DPA-00#J0
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Scheda dati

RJK2057DPA-00#J0 Scheda dati

pacchetto 8-PowerWDFN
ECAD
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Specifiche RJK2057DPA-00#J0

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerWDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WPAK
Pacchetto / caso8-PowerWDFN

Scheda tecnica RJK2057DPA-00#J0

RJK2057DPA-00#J0 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK2057DPA-00#J0 is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK

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