Name: RJL6018DPK-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJL6018DPK-00-T0
Availability: InStock
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RJL6018DPK-00#T0

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Numero di parte	RJL6018DPK-00#T0
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
Scheda dati	RJL6018DPK-00#T0 Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche RJL6018DPK-00#T0

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	265 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica RJL6018DPK-00#T0

RJL6018DPK-00#T0 Packaging

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET - Rail/Tube

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