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RQ3E070BNTB

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Numero di parte RQ3E070BNTB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 24.366 piece(s)
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Specifiche RQ3E070BNTB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds410pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

RQ3E070BNTB Packaging

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Sealing
Packing
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RQ3E070BNTB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RQ3E070BNTB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RQ3E070BNTB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RQ3E070BNTB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RQ3E070BNTB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RQ3E070BNTB price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RQ3E070BNTB?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes

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N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin HSMT ROHM RQ3E070BNTB, PK

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