Name: RQ3E100MNTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100MNTB1
Availability: InStock
Rating: 5 (120 reviews)

RQ3E100MNTB1

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Numero di parte	RQ3E100MNTB1
Produttore	Rohm Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	29.994 piece(s)
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Specifiche RQ3E100MNTB1

Produttore	Rohm Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

RQ3E100MNTB1 Packaging

RQ3E100MNTB1 FAQ

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The price and inventory of RQ3E100MNTB1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of RQ3E100MNTB1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the RQ3E100MNTB1 we delivered, we will accept the replacement or return of the RQ3E100MNTB1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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RQ3E100MNTB1

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RQ3E100MNTB1 - Tape and Reel

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RQ3E100MNTB1

D# RQ3E100MNTB1TR-ND

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MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

3000

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3570

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D# NS-RQ3E100MNTB1

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OEM/CM ONLY

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