Name: RQJ0303PGDQA#H6
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RQJ0303PGDQA-H6
Availability: InStock
Rating: 5 (131 reviews)

RQJ0303PGDQA#H6

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Numero di parte	RQJ0303PGDQA#H6
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Scheda dati	RQJ0303PGDQA#H6 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche RQJ0303PGDQA#H6

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V
Vgs (massimo)	+10V, -20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	3-MPAK
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica RQJ0303PGDQA#H6

RQJ0303PGDQA#H6 Packaging

RQJ0303PGDQA#H6 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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POWER MOSFET- LEAD FREE, HALOGEN FREE - Tape and Reel

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D# RQJ0303PGDQA#H6-ND

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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RQJ0303PGDQA#H6

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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RQJ0303PGDQA#H6

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