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RS1E301GNTB1

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Numero di parte RS1E301GNTB1
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche RS1E301GNTB1

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta), 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39.8 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 15 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSOP
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

RS1E301GNTB1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RS1E301GNTB1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RS1E301GNTB1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RS1E301GNTB1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RS1E301GNTB1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RS1E301GNTB1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RS1E301GNTB1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RS1E301GNTB1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RS1E301GNTB1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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