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Numero di parte RSS075P03FU6TB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Scheda dati RSS075P03FU6TB Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
A magazzino 4.280 piece(s)
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Specifiche RSS075P03FU6TB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati RSS075P03FU6TBScheda dati
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 10V
Vgs (massimo)��20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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