Name: RSS090P03FU7TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSS090P03FU7TB
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

RSS090P03FU7TB

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	RSS090P03FU7TB
Produttore	Rohm Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Scheda dati	RSS090P03FU7TB Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche RSS090P03FU7TB

Produttore	Rohm Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4000pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica RSS090P03FU7TB

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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