Name: SCTWA30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTWA30N120
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

SCTWA30N120

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SCTWA30N120
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
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Specifiche SCTWA30N120

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	*
Tipo FET	-
Tecnologia	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	-

SCTWA30N120 Packaging

SCTWA30N120 FAQ

1. How to order SCTWA30N120 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that SCTWA30N120 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SCTWA30N120 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SCTWA30N120

D# E02:0323_11326674

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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube

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WIDE BANDGAP TRANSISTORS - Rail/Tube (Alt: SCTWA30N120)

RoHS: Compliant

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WIDE BANDGAP TRANSISTORS (Alt: SCTWA30N120)

RoHS: Compliant

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SCTWA30N120

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WIDE BANDGAP TRANSISTORS (Alt: SCTWA30N120)

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Min Qty: 1

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D# SCTWA30N120-ND

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IC POWER MOSFET 1200V HIP247

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Silicon carbide Power MOSFET 1200V

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30000

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MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

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DFD PROTECTION & FILTER

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Container: Bulk

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SCTWA30N120

D# 2025493

STMicroelectronics

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120, TU

Min Qty: 30

Container: Tube

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