Name: SI1011X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1011X-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (87 reviews)

SI1011X-T1-GE3

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Numero di parte	SI1011X-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V SC-89
Scheda dati	SI1011X-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SC-89, SOT-490
ECAD
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Specifiche SI1011X-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-89, SOT-490
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	62pF @ 6V
Vgs (massimo)	±5V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	640 mOhm @ 400mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-3
Pacchetto / caso	SC-89, SOT-490

Scheda tecnica SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3 Packaging

SI1011X-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI1011X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI1011X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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