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SI1012X-T1-GE3

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Numero di parte SI1012X-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Scheda dati

SI1012X-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SC-89, SOT-490
A magazzino 256.702 piece(s)
Prezzo unitario $ 0,1307 *
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Specifiche SI1012X-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-89, SOT-490
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±6V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-3
Pacchetto / casoSC-89, SOT-490

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