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SI1033X-T1-GE3

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SI1033X-T1-GE3

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Numero di parte SI1033X-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Scheda dati

SI1033X-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1033X-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max250mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6

Scheda tecnica SI1033X-T1-GE3

SI1033X-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI1033X-T1-GE3 FAQ

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