| Numero di parte | SI1051X-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.512 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.45nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±5V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1051X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1051X-T1-E3 D# SI1051X-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1051X-T1-E3 D# NS-SI1051X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9538 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1051X-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
33005 |
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