| Numero di parte | SI1065X-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| A magazzino | 17.268 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1065X-T1-E3/BKN D# 70026348 |
Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
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SI1065X-T1-E3 D# 70026185 |
Vishay Siliconix |
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1065X-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
Si1065X Series P-Channel 12 V 0.13 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-89-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1065X-T1-E3 D# SI1065X-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1065X-T1-E3 D# NS-SI1065X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7642 |
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86-755-83210559-843
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