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SI1065X-T1-GE3

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SI1065X-T1-GE3

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Numero di parte SI1065X-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
Scheda dati

SI1065X-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1065X-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 6V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

Scheda tecnica SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3 Packaging

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SI1065X-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1065X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1065X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1065X-T1-GE3?
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