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| Numero di parte | SI1414DH-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ECAD |
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| A magazzino | 216.540 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DHT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3 D# SI1414DH-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DHT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3. D# 30AC0132 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.037ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DHT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI1414DH-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
3199 |
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