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SI1471DH-T1-E3

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SI1471DH-T1-E3

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Numero di parte SI1471DH-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
Scheda dati

SI1471DH-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1471DH-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds445pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Scheda tecnica SI1471DH-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1471DH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1471DH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1471DH-T1-E3?
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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MOSFET, P CHANNEL, -30V, -2.7A, SOT-363-6, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:2.7A, On Resistance Rds(on):0.08ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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