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SI1557DH-T1-E3

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SI1557DH-T1-E3

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Numero di parte SI1557DH-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Scheda dati

SI1557DH-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1557DH-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.2A, 770mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs235 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max470mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1557DH-T1-E3

SI1557DH-T1-E3 Packaging

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Packing
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