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SI1905DL-T1-E3

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SI1905DL-T1-E3

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Numero di parte SI1905DL-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Scheda dati

SI1905DL-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1905DL-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max270mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1905DL-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1905DL-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1905DL-T1-E3?
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Vishay Siliconix

MOSFET, Dual P-CH 1.8V (G-S) Trench

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Vishay Siliconix

MOSFET, Dual P-CH 1.8V (G-S) Trench

RoHS: Not Compliant
0
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D# V36:1790_14141616

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Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

2505
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 570MA SC70-6

2988
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D# SI1905DL-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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