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SI1965DH-T1-GE3

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SI1965DH-T1-GE3

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Numero di parte SI1965DH-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Scheda dati

SI1965DH-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1965DH-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 6V
Potenza - Max1.25W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI1965DH-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1965DH-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI1965DH-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI1965DH-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI1965DH-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI1965DH-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1965DH-T1-GE3?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# 70616153

 Vishay Siliconix

Si1965DH-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 12 V, 6-Pin SOT-363

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# V72:2272_09216779

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1965DH-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1965DH-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1965DH-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 12 V 390 mO 1.7 nC Power Mosfet - SOT-363

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# SI1965DH-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

 8918
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DHT1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1845
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# 781-SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6

RoHS: Compliant
 25894
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# 04X9752

 Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL P CHANNEL, -12V, SOT-363-6, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:1.3A, On Resistance Rds(on):0.315ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

SI1965DH-T1-GE3.

D# 15AC0291

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:1.3A, On Resistance Rds(on):0.315ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:400mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# NS-SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 6069
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# 8123104

 Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel MOSFET, 1.2 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 Vishay Si1965DH-T1-GE3, PK

Min Qty: 50
Container: Package
 19250
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DHT1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

 983
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

 179985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-BE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V P-CHANNEL DUAL

pbFree: Pb-Free
 0

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 Vishay Intertechnologies

MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6

pbFree: Pb-Free
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

 Vishay Huntington

shipping today

 41119
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-GE3

D# 42801835

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R

RoHS: Compliant
 0

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