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SI2304DS,215

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Numero di parte SI2304DS,215
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2304DS,215

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs117 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236AB (SOT23)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2304DS,215 Packaging

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Packing
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SI2304DS,215 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2304DS,215 is from the original manufacturer or authorized agents?
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20
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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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Nexperia

MOSFET, N CH, 30V, 1.7A, SOT23

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Min Qty: 1
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Now Nexperia SI2304DS - Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A, 30V, N-Channel MOSFET, TO-236AB

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