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SI2312CDS-T1-GE3

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SI2312CDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2312CDS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Scheda dati

SI2312CDS-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2312CDS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds865pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31.8 mOhm @ 5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI2312CDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2312CDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2312CDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2312CDS-T1-GE3?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# 70459671

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V36:1790_07432214

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 87W5911

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 87W5911)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2312CDS-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2312CDS-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23

6000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 20V 6A(Tc) 1V @ 250uA 31.8mohms @ 5A,4.5V 2.1W(Tc) SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

16167
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDST1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# SI2312CDS-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

98531
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# 1858940RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,20V,6A,DIODE,SOT23

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 20 V 31.8 mΩ 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
273000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

278460
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# C558251

VBsemi Electronics Co Ltd

525
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

500000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# 781-SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23

RoHS: Compliant
10839
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# XSFP00000090652

Vishay Siliconix

Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23

367282
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# 87W5911

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6A, On Resistance Rds(on):0.0265ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2950
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# NS-SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

3064
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

D# TMOSS6497

Vishay Intertechnologies

N-CHANNEL-FET 5,6A 20V SOT23

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

109328
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

499985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET

pbFree: Pb-Free
0

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Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23

pbFree: Pb-Free
0
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Coilcraft Inc

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9611
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Vishay Huntington

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

59146
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SI2312CDS-T1-GE3

D# 1858940

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,20V,6A,DIODE,SOT23

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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