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SI2341DS-T1-GE3

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Numero di parte SI2341DS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Scheda dati

SI2341DS-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2341DS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs72 mOhm @ 2.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2341DS-T1-GE3

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SI2341DS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2341DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2341DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2341DS-T1-GE3?
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