Name: SI2392DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2392DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

SI2392DS-T1-GE3

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Numero di parte	SI2392DS-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Scheda dati	SI2392DS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2392DS-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	196pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	126 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3 Packaging

SI2392DS-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI2392DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI2392DS-T1-GE3 pin diagram, SI2392DS-T1-GE3 datasheet?

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