Name: SI3410DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (116 reviews)

SI3410DV-T1-E3

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Numero di parte	SI3410DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Scheda dati	SI3410DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3410DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1295pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 4.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3410DV-T1-E3

SI3410DV-T1-E3 Packaging

SI3410DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3410DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SI3410DV-T1-E3-ND

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MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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