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SI3410DV-T1-GE3

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SI3410DV-T1-GE3

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Numero di parte SI3410DV-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Scheda dati SI3410DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
A magazzino 100.200 piece(s)
Prezzo unitario $ 0,3350 *
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Specifiche SI3410DV-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati SI3410DV-T1-GE3Scheda dati
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1295pF @ 15V
Vgs (massimo)��20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 4.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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