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SI3424BDV-T1-GE3

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SI3424BDV-T1-GE3

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Numero di parte SI3424BDV-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Scheda dati

SI3424BDV-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3424BDV-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds735pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3424BDV-T1-GE3

SI3424BDV-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI3424BDV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3424BDV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3424BDV-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3424BDV-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3424BDV-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3424BDV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3424BDV-T1-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3424BDV-T1-GE3)

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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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D# SI3424BDV-T1-GE3CT-ND

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