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| Numero di parte | SI3441BDV-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| A magazzino | 1.067.736 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.45A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 D# 70026099 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.07Ohm,ID -2.45A,TSOP-6,PD 0.86W,VGS +/-8V RoHS: Not Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies | 2900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Min Qty 8 |
19945 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDVT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.45A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 D# SI3441BDV-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3. |
VIS |
In stock shipping within 2days |
247 |
SI3441BDV-T1-E3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
10260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDVT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
10710 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
45000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 D# NS-SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3540 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Semiconductors |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.45A I(D), 20V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
8996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDVT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
31678 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
44985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
1126 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
mfr |
RFQ |
4624 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3441BDV-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP |
25145 |
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