| Numero di parte | SI3445DV-T1-E3 |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| A magazzino | 1.060.020 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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SIT1602BI-11-18N-77.760000D | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 1.8V, 7, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Min Qty 3 |
3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 D# SI3445DV-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 6TSOP |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3. |
VIS |
In stock shipping within 2days |
1136 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DVT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4380 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
3000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 D# 06J7603 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -8V, 5.6A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:8V, Continuous Drain Current Id:5.6A, On Resistance Rds(on):0.042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 D# NS-SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3472 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Semiconductors | 2400 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DVT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
9697 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3445DV-T1-E3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
253 |
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+86-755-83210559 ext. 809
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