Name: SI3447BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3447BDV-T1-GE3
Availability: InStock
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SI3447BDV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3447BDV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Scheda dati	SI3447BDV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3447BDV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3 Packaging

SI3447BDV-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI3447BDV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI3447BDV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.5A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):40mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

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D# SI3447BDV-T1-GE3-ND

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MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP

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P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A

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D# 26R1868

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:4.5A, On Resistance Rds(on):0.04ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

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