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SI3475DV-T1-E3

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SI3475DV-T1-E3

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Numero di parte SI3475DV-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Scheda dati SI3475DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
A magazzino 26.050 piece(s)
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Specifiche SI3475DV-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati SI3475DV-T1-E3Scheda dati
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C950mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 50V
Vgs (massimo)��20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61 Ohm @ 900mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3475DV-T1-E3

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