Name: SI3529DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3529DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (156 reviews)

SI3529DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3529DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Scheda dati	SI3529DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3529DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Potenza - Max	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3 Packaging

SI3529DV-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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MOSFET,NP CH,DIODE,40V,TSOP6

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