Name: SI3585DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (77 reviews)

SI3585DV-T1-E3

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Numero di parte	SI3585DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Scheda dati	SI3585DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3585DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	830mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3 Packaging

SI3585DV-T1-E3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI3585DV-T1-E3

D# 70026104

Vishay Siliconix

MOSFET, DUAL, 20V, 2.4/1.8A, TSOP-6

RoHS: Not Compliant

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SI3585DV-T1-E3

Vishay Siliconix

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 19A, TSOP, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:19A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):200mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:600mV , RoHS Compliant: Yes

Numero di parte

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Descrizione

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SI3585DV-T1-E3

D# SI3585DV-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Intertechnologies

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