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| Numero di parte | SI3585DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| A magazzino | 658.140 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 830mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N/P CH MOSFET, 20V, 1.8A, TSOP |
5059 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 D# SI3585DV-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 D# NS-SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3662 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI3585DV-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
30005 |
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86-755-83210559-827
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