Name: SI3586DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3586DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

SI3586DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3586DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Scheda dati	SI3586DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3586DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	830mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3 Packaging

SI3586DV-T1-GE3 FAQ

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