Name: SI3588DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3588DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

SI3588DV-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI3588DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
Scheda dati	SI3588DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3588DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	830mW, 83mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

Scheda tecnica SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3 Packaging

SI3588DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3588DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

3962

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Vishay Intertechnologies

Dual N & P Channel 20 V 0.08/0.145 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

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D# SI3588DV-T1-E3TR-ND

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MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 20V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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