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SI4214DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4214DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4214DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4214DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds785pF @ 15V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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SI4214DY-T1-GE3 Packaging

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SI4214DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4214DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4214DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4214DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4214DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4214DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4214DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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