Name: SI4322DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4322DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (88 reviews)

SI4322DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4322DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Scheda dati	SI4322DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4322DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4322DY-T1-E3

SI4322DY-T1-E3 Packaging

SI4322DY-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI4322DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Siliconix

Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:18A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Power Dissipation Pd:5.4W, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

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D# SI4322DY-T1-E3TR-ND

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MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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