Name: SI4330DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4330DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

SI4330DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4330DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Scheda dati	SI4330DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4330DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3 Packaging

SI4330DY-T1-E3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI4330DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI4330DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 8-Pin SOIC N T/R

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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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D# SI4330DY-T1-E3TR-ND

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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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VBsemi Electronics Co Ltd

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