Name: SI4403BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4403BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

SI4403BDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4403BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
Scheda dati	SI4403BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4403BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3 Packaging

SI4403BDY-T1-GE3 FAQ

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4403BDY-T1-GE3

D# V36:1790_14141942

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI4403BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

2500

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Descrizione

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SI4403BDY-T1-GE3

D# SI4403BDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO

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SI4403BDY-T1-GE3

D# 1794817RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, P CH, 20V, 7.3A, 8SOIC

RoHS: Compliant

Min Qty: 5

Container: Reel

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SI4403BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

89742

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D# NS-SI4403BDY-T1-GE3

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2512

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