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SI4410BDY-T1-E3

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SI4410BDY-T1-E3

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Numero di parte SI4410BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4410BDY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4410BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4410BDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4410BDY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4410BDY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4410BDY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4410BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4410BDY-T1-E3?
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D# 70026214

 Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

RoHS: Not Compliant
 0
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 Vishay Intertechnologies

10567
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4410BDY-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

 1873
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SI4410BDY-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 30V 7.5A 3V @ 250uA 13.5mohms @ 10A,10V 1.4W SO-8_3.9mm MOSFET RoHS

 96
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SI4410BDYT1E3

 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
 0
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SI4410BDY-T1-E3

D# SI4410BDY-T1-E3TR-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO

 0
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D# SI4410BDY-T1-E3

 Vishay Siliconix

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 1146
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 17850
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 Vishay Huntington

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D# 35K3458

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N CHANNEL MOSFET, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:10A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
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D# NS-SI4410BDY-T1-E3

 Vishay Siliconix

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 6170
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 Vishay Siliconix

7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

 447
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