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SI4410BDY-T1-GE3

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SI4410BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4410BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4410BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4410BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4410BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4410BDY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4410BDY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4410BDY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4410BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4410BDY-T1-GE3?
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N-Channel 30V 7.5A 3V @ 250uA 13.5mohms @ 10A,10V 1.4W SOIC-8_150mil MOSFET RoHS

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D# SI4410BDY-T1-GE3TR-ND

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