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| Numero di parte | SI4427BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.720 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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1808Y5000822JXR | Knowles Syfer, CAP CER 8200PF 500V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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0603Y1000430KQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0603, -, TrenchFET? | Visualizza |
 
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LTC3864EMSE#TRPBF | Linear Technology, IC REG CTRLR BUCK 12MSOP, 12-TSSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
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R5F21244SDFP#V2 | Renesas Electronics America, IC MCU 16BIT 16KB FLASH 52LQFP, 52-LQFP, TrenchFET? | Visualizza |
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MSMCJLCE51A | Microsemi Corporation, TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB, DO-214AB, SMC, TrenchFET? | Visualizza |
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7401P3Y4ZGE | C&K, SWITCH TOGGLE 4PDT 5A 120V, -, TrenchFET? | Visualizza |
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P51-200-G-B-P-20MA-000-000 | SSI Technologies Inc, SENSOR 200PSI 1/8-27NPT 4-20MA, Cylinder, TrenchFET? | Visualizza |
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RNC60H3243FSR36 | Vishay Dale, RES 324K OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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RG2012P-1213-B-T5 | Susumu, RES SMD 121K OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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CRCW0805182KFHEAP | Vishay Dale, RES SMD 182K OHM 1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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CLP-142-02-G-S | Samtec Inc., .050" X .050, -, TrenchFET? | Visualizza |
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10104997-E0C-40B | Amphenol FCI, XCEDE 6PVH 6COL LEFT WK, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# V72:2272_09216487 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4427BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC |
2181 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# SI4427BDY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# 1794818 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 30V, 9.7A, 8SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDYT1GE3 |
SILICONIX (VISHAY) |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1984 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
85 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# 781-SI4427BDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS: Compliant
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2711 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# 15R5013 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:12.6A, On Resistance Rds(on):0.0088ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# NS-SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5935 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
1823 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
80 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
591 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3 D# 27510656 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4427BDY-T1-GE3.. D# 8156751 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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