Name: SI4462DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4462DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

SI4462DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4462DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Scheda dati	SI4462DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4462DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.15A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4462DY-T1-GE3

SI4462DY-T1-GE3 Packaging

SI4462DY-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Descrizione

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SI4462DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 200V, 1.5A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.5A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):480mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

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SI4462DY-T1-GE3

D# SI4462DY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8SO

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SI4462DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

290

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D# NS-SI4462DY-T1-GE3

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