Name: SI4463BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4463BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (178 reviews)

SI4463BDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4463BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
Scheda dati	SI4463BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4463BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 13.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3 Packaging

SI4463BDY-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI4463BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4463BDY-T1-GE3

D# V36:1790_09216502

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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SI4463BDY-T1-GE3

D# SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4463BDY-T1-GE3)

Numero di parte

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SI4463BDY-T1-GE3

D# SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3)

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SI4463BDY-T1-GE3

D# SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4463BDY-T1-GE3)

Numero di parte

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC

676

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SI4463BDY-T1-GE3

D# SI4463BDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO

809

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SI4463BDY-T1-GE3

D# 1871351

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2460

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

in stock - can ship the same day

2067

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

89742

Numero di parte

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SI4463BDY-T1-GE3

D# 781-SI4463BDY-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V

RoHS: Compliant

2275

Numero di parte

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Descrizione

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SI4463BDY-T1-GE3

D# 26R1879

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:13.7A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 2500

Container: Cut Tape

Numero di parte

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SI4463BDY-T1-GE3

D# NS-SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4527

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SI4463BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

2083

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

89727

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SI4463BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free

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Vishay Huntington

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