Name: SI4464DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4464DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

SI4464DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4464DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Scheda dati	SI4464DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4464DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 Packaging

SI4464DY-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI4464DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI4464DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI4464DY-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI4464DY-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4464DY-T1-GE3

D# V72:2272_09216506

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4464DY-T1-GE3

D# SI4464DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4464DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4464DY-T1-GE3

D# SI4464DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4464DY-T1-GE3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4464DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

2500

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4464DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4464DY-T1-GE3

D# SI4464DY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

6715

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4464DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SI4464DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2975

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000

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SI4464DY-T1-GE3

D# 781-SI4464DY-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8

RoHS: Compliant

3677

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI4464DY-T1-GE3

D# NS-SI4464DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4525

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SI4464DY-T1-GE3

D# 7103333

Vishay Intertechnologies

N-Channel MOSFET, 1.7 A, 200 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4464DY-T1-GE3, PK

Min Qty: 5

Container: Package

4860

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Descrizione

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SI4464DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

2516

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SI4464DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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179985

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SI4464DY-T1-GE3.

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MOSFET 200V 240MOHMS@10V

pbFree: Pb-Free

SI4464DY-T1-GE3

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MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8

pbFree: Pb-Free

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SI4464DY-T1-GE3

D# 35572116

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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