Name: SI4483EDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4483EDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (186 reviews)

SI4483EDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4483EDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Scheda dati	SI4483EDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4483EDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3 Packaging

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4483EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -30V, 14A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-14A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):14mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:3V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

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D# SI4483EDY-T1-GE3-ND

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MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

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